CCD是类似硅的光伏电池板。栅极结构被添加到顶部（通常是多晶硅或氧化铟锡），因此电荷可以被施加到产生电子的地方（以便获得图像）。这些栅极结构阻挡入射光并降低量子效率（QE）。改进QE的一种方法是翻转CCD，使栅极位于底部，然后研磨CCD，直到其厚度约为15微米。门仍然离前表面足够近，电荷在其产生的地方被捕获。背照式或减薄式CCD具有非常高的量子效率，但通常比前照式CCD成本高得多。

IDEX Health & Science提供两者。彩色CCD适用于光线充足的应用（明场显微镜）或需要同时曝光所有颜色的应用。对于通过外部过滤器（如发射过滤器）获取图像的微光科学应用，单色CCD是更好选择。

彩色CCD有一组固定的滤镜，通常采用拜耳模式（红-绿-绿-蓝）。如果在彩色CCD前面使用蓝色滤镜（例如DAPI），则每4个像素中只有一个像素可以看到大量的光。800万像素的彩色传感器不能提供800万像素红色、800万像素绿色和800万像素蓝色。使用滤镜轮或滤镜立方体获取连续的红色、绿色和蓝色图像的单色传感器获取每个像素的全部800万像素。

降低噪音，改变表面。CCD从入射光和热能中产生电荷。对于光线充足的非常短的曝光（明场显微镜），您不会注意到图像的热部分。但对于荧光等低光应用，您希望减少热生成电荷，以获得光生成电荷中更好的信噪比。冷却还可以减少来自热像素的暗电流。

IDEX Health & Science使用珀耳帖（Peltier）装置，这是一种热电冷却器，当通电时，一侧变冷，另一侧变热。设计一个可以保持多年密封的CCD室是工程的一部分；有效地消散由冷却产生的热量是另一部分。通常，摄像机的温度传感器安装在将CCD连接到珀耳帖冷却器的铜块中。如果铜块和传感器之间的接触有问题，铜块可能很冷，但传感器可能没有完全冷却。在这种情况下，您可以看到与报告的相机温度不一致的暗电流值。

IDEX Health & Science支持各种CCD和科学CMOS传感器。对于我们当前的产品，请查看此 图表。

对。像素整合（Binning ）是将CCD本身上的像素相加以提高信噪比的过程。2×2的分格将4个像素相加，但不会将读出速度提高4倍；而是大约2倍（因为垂直移动时间不受影响）。

对于平移和粗略聚焦，是的；对于精细对焦，没有。Binning会增加像素的大小，这会使您更难看到是否对焦。对于精细聚焦，使用子阵列读出来增加帧速率。

是. IDEX Health & Science 的相机提供子阵列读出和像素整合（Binning ）；带有行间转移传感器的相机可以同时读出和曝光。实际帧速率取决于传感器的分辨率、读出的像素数和选择的装箱因子。

C型安装是为小型传感器开发的小孔径（1英寸/25.4毫米）。

AIMO=高级反转模式操作。NIMO=非IMO。一些e2v CCD，如深耗尽型器件，不能在反相模式下工作。因此，暗电流比AIMO CCD高100-200倍。例如，与每秒0.1个电子/像素（eps）的暗电流不同，期望的是每秒10个电子。AIMO vs NIMO不是FLI这样的相机制造商做出的选择。CCD由e2v制造，可以是AIMO、IMO或NIMO。

剩余批量图像。CCD通常为500微米厚。栅极结构位于顶部，并形成延伸至CCD 10或15微米的阱。但近红外光可以穿透CCD，超出门形成的井的范围。这种电荷逐渐离开CCD（数小时或数天），在随后的图像中产生重影。如果CCD预热，电荷将离开CCD。然而，在图像之间预热CCD是不实际的。或者，一些相机提供一个预闪光，均匀地照亮CCD，这样就不会在外延层下面留下电荷积聚的地方。这种预闪会略微降低传感器的全井容量。

近红外光可以穿透200微米或更多微米进入CCD。因此，当CCD减薄到15微米厚时，NIR（特别是超过800nm）可以穿透到CCD的背面并从背面反射（再次从正面反射，再次从背面反射，等等），从而在亮点源周围形成光环环。深耗尽CCD在NIR中具有高QE，但它们也具有电子迁移。前照CCD在该区域具有较少的QE，但不会遭受电子迁移。

线间CCD使用每个像素的一部分来收集光，每个像素的部分用来存储和移动电荷。存储区域具有金属掩模，以减少在读出期间图像的损坏。新的CCD在每个像素上具有微透镜，以将入射光聚焦到像素的光电二极管部分上。因为只有部分像素用于收集光，所以行间CCD的全阱容量通常低于大小相当的全帧像素。线间传输CCD通过将电荷从光电二极管移动到像素的存储二极管侧来遮挡图像。因此，行间曝光可能非常短。对于FLI相机，行间曝光时间可以低至30微秒（与机电快门的约30毫秒相反）。通常使用行间CCD而不使用机电快门。然而，如果没有快门，拍摄暗图像是很复杂的，除非你有某种方法将相机保持在100%黑暗的环境中。全帧传感器使用每个像素的100%来收集、存储和传输电荷。它们需要机电快门，除非相机将在100%黑暗的环境中使用。全框架器件通常具有比行间传感器更高的全阱容量和更高的效率。